埃賽力達硅雪崩光電二極管是一種半導體光探測器（光電二極管），工作在較高反向電壓下，有時僅比閾值稍低。在這一范圍內，吸收光子激發的載流子（電子和空穴）在很強的內部電場作用下加速，然后產生二次載流子，這在光電倍增管中經常發生。雪崩過程只發生在幾微米的距離上，光電流就能被放大很多倍。因此，埃賽力達硅雪崩光電二極管可以用作非常靈敏的探測器，只需要較少的電子信號放大，因此電子噪聲也比較小。但是，雪崩過程本身就存在量子噪聲和放大器噪聲，因此會抵消之前提到的優勢。附加噪聲可以由附加噪聲系數F來定量描述，它是表征與理想光探測器相比電子噪聲功率提高的因子。
需要注意的是，放大因子以及APD的有效響應度與反向電壓非常相關，并且不同器件對應的值不同。因此，常用的做法是表征某一電壓范圍，其中所有的器件都能達到一定的響應度。
埃賽力達硅雪崩光電二極管的探測帶寬可能非常高，主要是其靈敏度很高，可以使用比普通光電二極管中更小的分流電阻。
一般來講，需要探測帶寬很高時，APD的噪聲特性比普通的PIN型光電二極管要好，然后探測帶寬較低時，PIN型光電二極管和一個低噪聲的窄帶放大器性能更好。放大因子越高，附加噪聲系數越高，這都是提高反向電壓得到的。因此，通常選擇反向電壓滿足倍增過程噪聲約等于電子放大器的噪聲，因為這樣會使總的噪聲最小。附加噪聲的大小與很多因子有關：反向電壓的大小，材料性質（尤其是，電離系數比）和裝置設計。
埃賽力達硅雪崩光電二極管在450-1000nm（有時可以達到1100nm）波長區域比較敏感，最高響應度在600-800nm范圍內，即該波長區域波長略小于Si p-i-n二極管。根據器件設計和施加的反向電壓不同，Si APD的倍增因數（也稱為增益）在50到1000之間變化。對于更長的波長，APD需要采用鍺或者銦鎵砷材料。它們具有更小的電流倍增因數，在10到40之間。InGaAs APDs比Ge APDs更加昂貴，但是具有更好的噪聲特性和更高的探測帶寬。
埃賽力達硅雪崩光電二極管的典型應用包括光纖通信中的接收器，測距，成像，高速激光掃描儀，激光顯微鏡和光學時域反射計（OTDR）。
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